IKFW50N60DH3XKSA1, IGBT Transistors INDUSTRY 14
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 145 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | IKFW50N60DH3 SP001672364 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 53 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 60 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | PG-TO247-3 |
Automotive | No |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 600 |
Maximum Continuous Collector Current (A) | 53 |
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.1 |
Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 145 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Mounting | Through Hole |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Supplier Package | TO-247 |
Tab | Tab |
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.85 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1952 КБ