IKFW50N60ETXKSA1, IGBTs Y

Фото 1/2 IKFW50N60ETXKSA1, IGBTs Y
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10 000 ֏
от 10 шт.8 500 ֏
от 25 шт.8 200 ֏
от 100 шт.6 900 ֏
1 шт. на сумму 10 000 ֏
Номенклатурный номер: 8005240060

Описание

Unclassified
Описание Транзистор: IGBT, 600В, 59А, 120Вт, PG-TO247-3-AI Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 164 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IKFW50N60ET SP001672368
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 73 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 73 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 240
Серия Trenchstop IGBT3
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet IKFW50N60ETXKSA1
pdf, 1947 КБ