IKP08N65F5, IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 380 ֏
от 10 шт. —
1 900 ֏
от 100 шт. —
1 410 ֏
1 шт.
на сумму 2 380 ֏
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 70 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | IKP08N65F5XKSA1 SP000973408 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 18 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | TRENCHSTOP 5 F5 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2250 КБ