IKP08N65F5XKSA1, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 400 ֏
от 10 шт. —
1 920 ֏
от 100 шт. —
1 450 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 400 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 70 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IKP08N65F5 SP000973408 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 18 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | TRENCHSTOP 5 F5 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2250 КБ
