IKQ100N60TXKSA1, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 200 ֏
от 10 шт. —
14 500 ֏
от 25 шт. —
10 000 ֏
от 100 шт. —
8 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 200 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
The Infineon insulated-gate bipolar transistor with positive temperature coefficient in saturation voltage has fast recovery anti-parallel emitter controlled diode.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 160 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 714 W |
| Package Type | PG-TO247-3-46 |
| Pin Count | 3 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 160А |
| Power Dissipation | 714Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOPT |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Вес, г | 6.89 |
Техническая документация
Datasheet IKQ100N60TXKSA1
pdf, 1925 КБ
