IKW30N65ET7XKSA1, IGBT Transistors INDUSTRY 14
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 200 ֏
от 10 шт. —
4 630 ֏
от 25 шт. —
3 620 ֏
от 100 шт. —
2 910 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 200 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 188 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IKW30N65ET7 SP005348289 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Серия | Trenchstop IGBT7 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Base Product Number | IKW30N65 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 180nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power - Max | 188W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80ns |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchStopв„ў -> |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 590ВµJ (on), 500ВµJ (off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 20ns/245ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.65V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Collector Current (Ic) | 30A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 80ns |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 1.65V@15V, 30A |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - |
| Power Dissipation (Pd) | 188W |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 180nC |
| Turn?off Delay Time (Td(off)) | 245ns |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 0.5mJ |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 20ns |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.59mJ |
| Type | FS(Field Stop) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1677 КБ
Datasheet IKW30N65ET7XKSA1
pdf, 1891 КБ
Datasheet IKW30N65ET7XKSA1
pdf, 1449 КБ
