IKW30N65H5XKSA1, IGBT Transistors INDUSTRY 14
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 100 ֏
от 10 шт. —
4 630 ֏
от 25 шт. —
3 580 ֏
от 100 шт. —
2 870 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 100 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Описание Транзистор IGBT, 650В, 35А, 94Вт, TO247-3, TRENCHSTOP™ 5, Серия H5 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 55 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V |
| Maximum Power Dissipation | 188 W |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 6.059 |
Техническая документация
Datasheet IKW30N65H5XKSA1
pdf, 2194 КБ
