IKW40N65WR5XKSA1, IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 670 ֏
от 10 шт. —
4 050 ֏
от 25 шт. —
2 770 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 670 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) The reverse conducting TRENCHSTOP 5 WR5 IGBT was specifically optimized for full rated hard switching turn off typically found in Welding inverter application. Excellent price/performance ratio of WR5 IGBT allows access to the high performance techno
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 230 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IKW40N65WR5 SP001174974 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.4 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Серия | TRENCHSTOP 5 WR5 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKW40N65WR5XKSA1
pdf, 2059 КБ
