IPP50R199CPXKSA1, MOSFETs N-Ch 500V 17A TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 320 ֏
от 10 шт. —
3 440 ֏
от 25 шт. —
3 070 ֏
от 100 шт. —
2 450 ֏
1 шт.
на сумму 4 320 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор полевой IPP50R199CPXKSA1 от производителя INFINEON – это высококачественный компонент для использования в электронных устройствах, где требуется мощный N-MOSFET. Модель монтируется с помощью THT (сквозного монтажа), обеспечивая простую установку и надежное соединение. Ток стока достигает 17 А, а напряжение сток-исток выдерживает до 500 В, что позволяет использовать транзистор в мощных схемах. Его мощность составляет 139 Вт, а сопротивление в открытом состоянии всего 0,199 Ом, что свидетельствует о высокой эффективности и экономии энергии. Корпус PG-TO220-3 обеспечивает удобство монтажа и достаточную теплоотдачу. Для технических специалистов, которые ищут надежные компоненты, IPP50R199CPXKSA1 станет отличным выбором благодаря сочетанию производительности и качества от INFINEON. Код товара без специальных символов и пробелов: IPP50R199CPXKSA1. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 17 |
| Напряжение сток-исток, В | 500 |
| Мощность, Вт | 139 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.199 |
| Корпус | PG-TO220-3 |
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IPP50R199CP SP000680934 |
| Pd - Power Dissipation: | 139 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 34 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 180 mOhms |
| Rise Time: | 14 ns |
| Series: | CoolMOS CE |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | CoolMOS |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.13Ом |
| Power Dissipation | 192Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS CP |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Непрерывный Ток Стока | 23А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 192Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.13Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 547 КБ
Datasheet IPP50R199CPXKSA1
pdf, 550 КБ
