IXA37IF1200HJ, IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBTs
![Фото 1/4 IXA37IF1200HJ, IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBTs](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758074.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/885/DOC022885694.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/154/DOC026154395.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/372/DOC037372796.jpg)
21 700 ֏
от 10 шт. —
19 800 ֏
от 30 шт. —
16 800 ֏
от 60 шт. —
15 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 21 700 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Описание Транзистор БТИЗ, 1200В 58A 195Вт TO247-Isoplus Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 58 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +125 °C |
Maximum Power Dissipation | 195 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | ISOPLUS247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Case | PLUS247™ |
Collector current | 37A |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Gate charge | 106nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
Power dissipation | 195W |
Pulsed collector current | 105A |
Technology | Planar, Sonic FRD™, XPT™ |
Turn-off time | 350ns |
Turn-on time | 110ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 4.5 |