IXBH10N300HV, IGBTs TO247 3KV 10A IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
70 600 ֏
от 10 шт. —
58 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 70 600 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 10А, 180Вт, TO247HV Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 180 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 3 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.2 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 34 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 88 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-247HV-3 |
| Вес, г | 6 |
