IXBH20N300, IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
![Фото 1/2 IXBH20N300, IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758074.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
51 100 ֏
от 10 шт. —
41 300 ֏
от 30 шт. —
36 200 ֏
от 60 шт. —
35 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 51 100 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 50А, 250Вт, TO247 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 250 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 21.46 mm |
Длина | 16.26 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | BIMOSFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 3 kV |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.7 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 50 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 100 nA |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Ширина | 5.3 mm |
Вес, г | 1.6 |
Техническая документация
Datasheet IXBH20N300
pdf, 173 КБ