IXBT16N170A, IGBTs 1700V 16A
![Фото 1/3 IXBT16N170A, IGBTs 1700V 16A](https://static.chipdip.ru/lib/859/DOC043859470.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/859/DOC004859834.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/400/DOC035400053.jpg)
24 100 ֏
от 10 шт. —
20 200 ֏
от 30 шт. —
18 400 ֏
от 60 шт. —
16 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 24 100 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 150Вт, TO268 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Case | TO268 |
Collector current | 10A |
Collector-emitter voltage | 1.7kV |
Features of semiconductor devices | high voltage |
Gate charge | 65nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | SMD |
Power dissipation | 150W |
Pulsed collector current | 40A |
Technology | BiMOSFET™ |
Turn-off time | 370ns |
Turn-on time | 43ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 4.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 98 КБ