IXFA6N120P, MOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 200 ֏
от 10 шт. —
10 700 ֏
от 50 шт. —
8 500 ֏
от 100 шт. —
7 200 ֏
1 шт.
на сумму 12 200 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 1,2кВ, 6А, 250Вт, TO263 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Fall Time: | 14 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 3 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 92 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.75 Ohms |
| Rise Time: | 11 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | Polar HiPerFET Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 205 КБ
