IXFB100N50P, MOSFETs 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
35 600 ֏
от 10 шт. —
30 500 ֏
от 25 шт. —
24 900 ֏
от 50 шт. —
24 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 35 600 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 500В, 100А, 1890Вт, PLUS264™ Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 25 |
| Fall Time: | 26 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 50 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | PLUS-264-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 kW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 240 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 49 mOhms |
| Rise Time: | 29 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 36 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 186 КБ
Littelfuse/IXYS IXFB100N50P
pdf, 161 КБ
