IXFH22N60P3, MOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 400 ֏
от 10 шт. —
6 300 ֏
от 30 шт. —
5 500 ֏
от 120 шт. —
4 680 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 400 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 22А, 500Вт, TO247-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 22 A |
| Pd - рассеивание мощности | 500 W |
| Qg - заряд затвора | 38 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 360 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 17 ns |
| Время спада | 19 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 24 S, 14 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXFH22N60 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 22 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 360 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | HiperFET, Polar3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Width | 5.3mm |
| Вес, г | 1.6 |
