IXFH26N60P, MOSFETs 600V 26A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 11 100 ֏
Описание
Unclassified
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYSundefined
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 26 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 270 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 460 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | HiperFET, Polar |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Width | 5.3mm |
| Drain Source On State Resistance | 0.27Ом |
| Power Dissipation | 460Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PolarHV |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 26А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Рассеиваемая Мощность | 460Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.27Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Вес, г | 6.5 |
