IXFH30N50Q3, MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 700 ֏
от 10 шт. —
14 200 ֏
от 30 шт. —
12 000 ֏
от 60 шт. —
10 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 15 700 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 30А, 690Вт, TO247-3, 250нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 6.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 690 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | HiperFET, Q-Class |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Width | 5.3mm |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXFH30N50Q3
pdf, 131 КБ
