IXFK24N100Q3, MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33 200 ֏
от 10 шт. —
26 400 ֏
от 25 шт. —
23 100 ֏
от 50 шт. —
21 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 33 200 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 24А, 1000Вт, TO264 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 24 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 440 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 6.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1 kW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-264 |
| Pin Count | 3 |
| Series | HiperFET, Q3-Class |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Width | 5.13mm |
| Вес, г | 3 |
