IXFK300N20X3, MOSFETs N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
38 900 ֏
от 10 шт. —
33 100 ֏
от 25 шт. —
27 200 ֏
от 50 шт. —
26 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 38 900 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Case | TO264 |
| Drain current | 300A |
| Drain-source voltage | 200V |
| Gate charge | 375nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 4mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1.25kW |
| Reverse recovery time | 170ns |
| Technology | HiPerFET™, X3-Class |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 10 |
