IXFN100N50P, MOSFET Modules 500V 100A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
55 200 ֏
от 10 шт. —
44 600 ֏
от 20 шт. —
40 100 ֏
от 50 шт. —
39 100 ֏
1 шт.
на сумму 55 200 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-МОП 500В 90A 1040Вт SOT227B Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | модуль |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | IXYS |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
Fall Time: | 26 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Screw Mounts |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-227-4 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 1.04 mW |
Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
Product: | Power MOSFET Modules |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 49 mOhms |
Rise Time: | 29 ns |
Series: | IXFN100N50 |
Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
Technology: | Si |
Tradename: | HiPerFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Type: | HiperFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 36 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Вес, г | 37.41 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 147 КБ