IXFN170N25X3, Discrete Semiconductor Modules 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
42 000 ֏
от 10 шт. —
32 400 ֏
от 20 шт. —
31 400 ֏
от 50 шт. —
28 900 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 42 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Discrete Semiconductor Modules
Описание Модуль, одиночный транзистор, 250В, 146А, SOT227B, Ugs ±30В, 390Вт Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | модуль |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
California Prop 65 | Warning Information |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 170A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13500pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Power Dissipation (Max) | 390W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.4mOhm @ 85A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | HiPerFETв„ў -> |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Техническая документация
Datasheet IXFN170N25X3
pdf, 154 КБ