IXFN64N60P, Discrete Semiconductor Modules 600V 64A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 40 700 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Discrete Semiconductor Modules
Описание Модуль, одиночный транзистор, 600В, 50А, SOT227B, Ugs: ±40В, 700Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | модуль |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SOT227B |
| Drain current | 50A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Electrical mounting | screw |
| Gate charge | 200nC |
| Gate-source voltage | ±40V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | IXYS |
| Mechanical mounting | screw |
| On-state resistance | 96mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 700W |
| Pulsed drain current | 150A |
| Reverse recovery time | 200ns |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | HiPerFET™, PolarHV™ |
| Type of module | MOSFET transistor |
| Вес, г | 87 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 190 КБ
