IXFN80N60P3, MOSFET Modules Polar3 HiPerFET Power MOSFET
![Фото 1/2 IXFN80N60P3, MOSFET Modules Polar3 HiPerFET Power MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/744/DOC043744356.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/978/DOC035978964.jpg)
43 500 ֏
от 10 шт. —
35 000 ֏
от 20 шт. —
30 400 ֏
от 50 шт. —
29 400 ֏
1 шт.
на сумму 43 500 ֏
Описание
Unclassified
Описание Модуль, одиночный транзистор, 600В, 66А, SOT227B, Ugs: ±40В, 960Вт Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | модуль |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | SOT227B |
Drain current | 66A |
Drain-source voltage | 600V |
Electrical mounting | screw |
Gate charge | 0.19µC |
Gate-source voltage | ±40V |
Kind of channel | enhanced |
Manufacturer | IXYS |
Mechanical mounting | screw |
On-state resistance | 77mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 960W |
Pulsed drain current | 200A |
Reverse recovery time | 250ns |
Semiconductor structure | single transistor |
Technology | HiPerFET™, Polar3™ |
Type of module | MOSFET transistor |
Вес, г | 30 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 132 КБ