IXFP26N30X3, MOSFETs MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
![Фото 1/3 IXFP26N30X3, MOSFETs MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44](https://static.chipdip.ru/lib/192/DOC036192242.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517983.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/847/DOC004847212.jpg)
4 050 ֏
от 50 шт. —
2 850 ֏
от 100 шт. —
2 290 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 050 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, X3-Class, полевой, 300В, 26А, 170Вт, TO220AB, 105с Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 26 A |
Pd - рассеивание мощности | 170 W |
Qg - заряд затвора | 22 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 66 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 25 ns |
Время спада | 19 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 14 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | HiPerFET |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 80 ns |
Типичное время задержки при включении | 23 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 3 |