IXFP72N20X3M, MOSFETs MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
![Фото 1/3 IXFP72N20X3M, MOSFETs MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44](https://static.chipdip.ru/lib/786/DOC043786643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517983.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/847/DOC004847768.jpg)
10 000 ֏
от 10 шт. —
8 200 ֏
от 50 шт. —
7 000 ֏
от 100 шт. —
6 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 000 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, X3-Class, полевой, 200В, 72А, 36Вт, TO220FP, 84с Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 72 A |
Pd - рассеивание мощности | 36 W |
Qg - заряд затвора | 55 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 28 ns |
Время спада | 11 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 30 S |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 78 ns |
Типичное время задержки при включении | 23 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
California Prop 65 | Warning Information |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 72A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3780pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 36A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | HiPerFETв„ў -> |
Supplier Device Package | TO-220 Isolated Tab |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA |
Вес, г | 37 |
Техническая документация
Datasheet IXFP72N20X3M
pdf, 137 КБ