IXFX120N25P, MOSFETs 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 000 ֏
от 30 шт. —
10 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 000 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Pd - рассеивание мощности | 700 W |
| Qg - заряд затвора | 185 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 33 ns |
| Время спада | 33 ns |
| Высота | 21.34 mm |
| Длина | 16.13 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 45 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXFX120N25 |
| Технология | Si |
| Тип | PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 130 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Ширина | 5.21 mm |
| Вес, г | 7 |
Техническая документация
Datasheet IXFX120N25P
pdf, 153 КБ
