IXGH25N160, IGBTs 75 Amps 1600V 2.5 Rds
![Фото 1/2 IXGH25N160, IGBTs 75 Amps 1600V 2.5 Rds](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758074.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/128/DOC043128626.jpg)
16 500 ֏
от 10 шт. —
14 200 ֏
от 30 шт. —
12 700 ֏
от 60 шт. —
11 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 500 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: IGBT, NPT, 1,6кВ, 25А, 300Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Brand: | IXYS |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.6 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.5 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 75 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 75 A |
Factory Pack Quantity: | 30 |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | TO-247AD-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 300 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 185 КБ