IXGH30N120B3D1, IGBTs 60 Amps 1200V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 400 ֏
от 30 шт. —
8 600 ֏
от 60 шт. —
8 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 11 400 ֏
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 1200V
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 21.46 mm |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
| Длина | 16.26 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | GenX3 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.96 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 30 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 150 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXGH30N120 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
| Ширина | 5.3 mm |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 14 КБ
Datasheet IXGH30N120B3D1
pdf, 214 КБ
Datasheet IXGT30N120B3D1
pdf, 207 КБ
