IXGH40N120C3D1, IGBTs 75Amps 1200V

IXGH40N120C3D1, IGBTs 75Amps 1200V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
20 000 ֏
от 10 шт.17 600 ֏
от 30 шт.15 100 ֏
от 60 шт.13 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 20 000 ֏
Номенклатурный номер: 8005250041
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75Amps 1200V

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 380 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 21.46 mm
Диапазон рабочих температур 55 C to + 150 C
Длина 16.26 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение GenX3
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 4.4 V
Непрерывный коллекторный ток 75 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 180 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXGH40N120
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247AD-3
Ширина 5.3 mm
Base Product Number IXG*40N120 ->
California Prop 65 Warning Information
Current - Collector (Ic) (Max) 75A
Current - Collector Pulsed (Icm) 180A
ECCN EAR99
Gate Charge 142nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type PT
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power - Max 380W
REACH Status REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr) 100ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series GenX3в„ў ->
Supplier Device Package TO-247AD (IXGH)
Switching Energy 1.8mJ (on), 550ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 17ns/130ns
Test Condition 600V, 30A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4.4V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Вес, г 38

Техническая документация

Datasheet IXGH40N120C3D1
pdf, 198 КБ