IXTA08N120P, MOSFETs 0.8 Amps 1200V 25 Rds
![IXTA08N120P, MOSFETs 0.8 Amps 1200V 25 Rds](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516338.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 100 ֏
от 10 шт. —
3 960 ֏
от 50 шт. —
3 590 ֏
от 100 шт. —
2 880 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 100 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 0.8 Amps 1200V 25 Rds
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 800 mA |
Pd - рассеивание мощности | 50 W |
Qg - заряд затвора | 14 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20.5 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 26 ns |
Время спада | 24 ns |
Высота | 4.83 mm |
Длина | 9.65 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | Polar |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.38 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IXTA08N120 |
Технология | Si |
Тип | Polar Power MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 55 ns |
Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Ширина | 10.41 mm |
Вес, г | 2.3 |