IXTA08N120P, MOSFETs 0.8 Amps 1200V 25 Rds

IXTA08N120P, MOSFETs 0.8 Amps 1200V 25 Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 100 ֏
от 10 шт.3 960 ֏
от 50 шт.3 590 ֏
от 100 шт.2 880 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 100 ֏
Номенклатурный номер: 8005250071
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
МОП-транзистор 0.8 Amps 1200V 25 Rds

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 800 mA
Pd - рассеивание мощности 50 W
Qg - заряд затвора 14 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 20.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 1.2 kV
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4.5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 26 ns
Время спада 24 ns
Высота 4.83 mm
Длина 9.65 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение Polar
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 0.38 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 50
Серия IXTA08N120
Технология Si
Тип Polar Power MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 55 ns
Типичное время задержки при включении 20 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-263-3
Ширина 10.41 mm
Вес, г 2.3