IXTA1R4N100P, MOSFETs 1.4 Amps 1000V 11 Rds

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4 090 ֏

от 10 шт. — 3 250 ֏

от 50 шт. — 2 870 ֏

от 100 шт. — 2 300 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 090 ֏

Номенклатурный номер: 8005250085

Unclassified

МОП-транзистор 1.4 Amps 1000V 11 Rds

Id - непрерывный ток утечки	1.4 A
Pd - рассеивание мощности	63 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	11 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	1 kV
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	35 ns
Время спада	28 ns
Высота	4.83 mm
Длина	10.41 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IXTA1R4N100
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	65 ns
Типичное время задержки при включении	25 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-263-3
Ширина	9.65 mm
Вес, г	2.3