IXTH150N15X4, MOSFETs MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
![IXTH150N15X4, MOSFETs MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC007614557.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 000 ֏
от 10 шт. —
12 500 ֏
от 30 шт. —
10 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 000 ֏
Описание
Unclassified
N-канал 150V 150A (Tc) 480W (Tc) сквозное отверстие TO-247
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 150A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-247-3 |
Power Dissipation (Max) | 480W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 75A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-247 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250ВµA |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 240 КБ