IXTH150N15X4, MOSFETs MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44

IXTH150N15X4, MOSFETs MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
14 000 ֏
от 10 шт.12 500 ֏
от 30 шт.10 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 14 000 ֏
Номенклатурный номер: 8005250123
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
N-канал 150V 150A (Tc) 480W (Tc) сквозное отверстие TO-247

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 150A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 75A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-247
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250ВµA
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 240 КБ