IXTH62N65X2, MOSFETs MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

Фото 1/3 IXTH62N65X2, MOSFETs MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
9 000 ֏
от 30 шт.6 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 9 000 ֏
Номенклатурный номер: 8005250152
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 62 A
Pd - рассеивание мощности 780 W
Qg - заряд затвора 100 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 50 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.7 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 11 ns
Время спада 5 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение HiPerFET
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Продукт Power MOSFET Modules
Размер фабричной упаковки 30
Технология Si
Тип X2-Class
Тип продукта MOSFET
Типичное время задержки выключения 56 ns
Типичное время задержки при включении 28 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Forward Diode Voltage 1.4V
Maximum Continuous Drain Current 62 A
Maximum Drain Source Resistance 50 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 650 V
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage 5V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 780 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2.7V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-247
Pin Count 3
Series X2-Class
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 100 nC @ 10 V
Width 21.34mm
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXTH62N65X2
pdf, 149 КБ
IXTH62N65X2
pdf, 159 КБ