IXTH62N65X2, MOSFETs MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
![Фото 1/3 IXTH62N65X2, MOSFETs MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44](https://static.chipdip.ru/lib/520/DOC006520572.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/986/DOC003986679.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770963.jpg)
9 000 ֏
от 30 шт. —
6 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 000 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 62 A |
Pd - рассеивание мощности | 780 W |
Qg - заряд затвора | 100 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.7 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 11 ns |
Время спада | 5 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Продукт | Power MOSFET Modules |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Технология | Si |
Тип | X2-Class |
Тип продукта | MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 56 ns |
Типичное время задержки при включении | 28 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.4V |
Maximum Continuous Drain Current | 62 A |
Maximum Drain Source Resistance | 50 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 780 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2.7V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Series | X2-Class |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
Width | 21.34mm |
Вес, г | 6 |