IXTH64N65X, MOSFETs 650V/64A Power MOSFET

IXTH64N65X, MOSFETs 650V/64A Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
17 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 17 300 ֏
Номенклатурный номер: 8005250153
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
МОП-транзистор 650V/9A Power МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 64 A
Pd - рассеивание мощности 890 W
Qg - заряд затвора 143 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 51 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 25 ns
Время спада 28 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 30 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 30
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Типичное время задержки выключения 80 ns
Типичное время задержки при включении 22 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Вес, г 554

Техническая документация

Datasheet IXTH64N65X
pdf, 160 КБ