IXTH64N65X, MOSFETs 650V/64A Power MOSFET
![IXTH64N65X, MOSFETs 650V/64A Power MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517016.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
17 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 17 300 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 650V/9A Power МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 64 A |
Pd - рассеивание мощности | 890 W |
Qg - заряд затвора | 143 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 51 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 25 ns |
Время спада | 28 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 30 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 80 ns |
Типичное время задержки при включении | 22 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 554 |
Техническая документация
Datasheet IXTH64N65X
pdf, 160 КБ