IXTH90P10P, MOSFETs -90.0 Amps -100V 25 mOhms
![IXTH90P10P, MOSFETs -90.0 Amps -100V 25 mOhms](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 500 ֏
от 10 шт. —
12 800 ֏
от 30 шт. —
9 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 13 500 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Drain current | -90A |
Drain-source voltage | -100V |
Gate charge | 0.12µC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
On-state resistance | 25mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 462W |
Reverse recovery time | 144ns |
Technology | PolarP™ |
Type of transistor | P-MOSFET |
Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 130 КБ