IXTP10P15T, MOSFETs TenchP Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 580 ֏
от 10 шт. —
3 650 ֏
от 50 шт. —
3 240 ֏
от 100 шт. —
2 590 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 580 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -150В, -10А, 83Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 350 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IXTP10P15 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Datasheet IXTP10P15T
pdf, 180 КБ
