IXTP180N10T, MOSFETs MOSFET Id180 BVdass100

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

7 700 ֏

от 10 шт. — 6 500 ֏

от 50 шт. — 4 850 ֏

от 100 шт. — 4 460 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 7 700 ֏

Номенклатурный номер: 8005250211

Unclassified

МОП-транзистор МОП-транзистор Id180 BVdass100

Id - непрерывный ток утечки	180 A
Pd - рассеивание мощности	480 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	6.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	54 ns
Время спада	31 ns
Высота	9.15 mm
Длина	10.66 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	110 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IXTP180N10
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	42 ns
Типичное время задержки при включении	33 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.83 mm
Вес, г	839