IXTP1R6N100D2, MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 540 ֏
от 10 шт. —
3 600 ֏
от 50 шт. —
3 190 ֏
от 100 шт. —
2 560 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 540 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 1,6А, 100Вт, TO220-3, 11нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Drain current | 1.6A |
| Drain-source voltage | 1kV |
| Gate charge | 645nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | depleted |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 10Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 100W |
| Reverse recovery time | 11ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 278 КБ
