IXTP4N80P, MOSFETs 3.5 Amps 800V 3 Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 600 ֏
от 10 шт. —
2 760 ֏
от 100 шт. —
1 960 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 600 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, PolarHV™, полевой, 800В, 3,6А, Idm: 8А, 100Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 3.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 100 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 24 ns |
| Время спада | 29 ns |
| Высота | 9.15 mm |
| Длина | 10.66 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IXTP4N80 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 60 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.82 mm |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet IXTP4N80P
pdf, 168 КБ
