IXTP50N20P, MOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds
![Фото 1/5 IXTP50N20P, MOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds](https://static.chipdip.ru/lib/356/DOC021356289.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/522/DOC021522539.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/641/DOC042641250.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/641/DOC042641254.jpg)
6 400 ֏
от 10 шт. —
4 940 ֏
от 50 шт. —
3 940 ֏
от 100 шт. —
3 280 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 400 ֏
Описание
Unclassified
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYSundefined
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.06Ом |
Power Dissipation | 360Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | PolarHT |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
Непрерывный Ток Стока | 50А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Рассеиваемая Мощность | 360Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.06Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
Maximum Drain Source Resistance | 60 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 360 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Series | HiperFET, Polar |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
Width | 4.83mm |
Вес, г | 1 |