IXTP50N25T, MOSFETs 50 Amps 250V 50 Rds

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6 800 ֏

от 10 шт. — 5 300 ֏

от 50 шт. — 4 490 ֏

от 100 шт. — 3 830 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 800 ֏

Номенклатурный номер: 8005250238

Unclassified

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 50А, 400Вт, TO220-3, 166нс Характеристики

Id - непрерывный ток утечки	50 A
Pd - рассеивание мощности	400 W
Qg - заряд затвора	78 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	60 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	250 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HiPerFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IXTP50N25
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Вес, г	2.3