IXTP80N10T, MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
![Фото 1/3 IXTP80N10T, MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds](https://static.chipdip.ru/lib/192/DOC036192242.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/522/DOC021522539.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/170/DOC012170933.jpg)
4 230 ֏
от 10 шт. —
3 650 ֏
от 50 шт. —
2 990 ֏
от 100 шт. —
2 390 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 230 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В 80A 230Вт 0,014Ом TO220AB
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.014Ом |
Power Dissipation | 230Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | Trench |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 80А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
Рассеиваемая Мощность | 230Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.014Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Вес, г | 87 |
Техническая документация
Datasheet IXTP80N10T
pdf, 289 КБ