IXTP80N10T, MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds

Фото 1/3 IXTP80N10T, MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 230 ֏
от 10 шт.3 650 ֏
от 50 шт.2 990 ֏
от 100 шт.2 390 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 230 ֏
Номенклатурный номер: 8005250246
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В 80A 230Вт 0,014Ом TO220AB

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.014Ом
Power Dissipation 230Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции Trench
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 100В
Непрерывный Ток Стока 80А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 4.5В
Рассеиваемая Мощность 230Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.014Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220
Вес, г 87

Техническая документация

Datasheet IXTP80N10T
pdf, 289 КБ