IXTQ50N20P, MOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6 800 ֏

от 10 шт. — 5 300 ֏

от 30 шт. — 4 850 ֏

от 120 шт. — 4 460 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 800 ֏

Номенклатурный номер: 8005250258

Unclassified

Описание Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 200В, 50А, 360Вт, TO3Р Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	50
Напряжение сток-исток, В	200
Мощность, Вт	360
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.06
Корпус	TO3P

Brand:	IXYS
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	30
Fall Time:	30 ns
Forward Transconductance - Min:	12 S
Id - Continuous Drain Current:	50 A
Manufacturer:	IXYS
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-3P-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	360 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	70 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	60 mOhms
Rise Time:	35 ns
Series:	IXTQ50N20
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	PolarHT
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	PolarHT Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	70 ns
Typical Turn-On Delay Time:	26 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	200 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	5 V
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.06Ом
Power Dissipation	360Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	PolarHT
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	200В
Непрерывный Ток Стока	50А
Пороговое Напряжение Vgs	5В
Стиль Корпуса Транзистора	TO-3P
Вес, г	57