Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Ixys › IXTQ75N10P, MOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds

IXTQ75N10P, MOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6 800 ֏

от 10 шт. — 6 300 ֏

от 30 шт. — 4 940 ֏

от 120 шт. — 3 940 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 800 ֏

Номенклатурный номер: 8005250262

Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified

МОП-транзистор 75 Amps 100V 0.025 Rds

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	75 A
Pd - рассеивание мощности	360 W
Qg - заряд затвора	74 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	21 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	53 ns
Время спада	45 ns
Высота	20.3 mm
Длина	15.8 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	PolarHT
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	20 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	30
Серия	IXTQ75N10
Технология	Si
Тип	PolarHT Power MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	66 ns
Типичное время задержки при включении	27 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3P-3
Ширина	4.9 mm
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.021Ом
Power Dissipation	360Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	PolarHT
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	75А
Пороговое Напряжение Vgs	5.5В
Рассеиваемая Мощность	360Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.021Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-3P
Вес, г	26