IXTQ96N20P, MOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 700 ֏
от 30 шт. —
5 900 ֏
от 120 шт. —
5 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 700 ֏
Посмотреть аналоги1
Описание
Unclassified
Описание Транзистор полевой IXTQ96N20P от IXYS предназначен для монтажа в отверстия (THT) и отличается высоким уровнем тока стока - 96 А, что делает его идеальным выбором для мощных применений. При напряжении сток-исток в 200 В этот компонент способен управлять большими нагрузками, имея при этом мощность до 600 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,024 Ом, обеспечивая высокую эффективность и минимальные потери мощности. Тип N-MOSFET в корпусе TO3P идеально подходит для широкого спектра электронных схем. Продукт IXTQ96N20P отличается надёжностью и долговечностью, что делает его предпочтительным решением для профессионалов. Обратите внимание, что при заказе следует указывать полное обозначение товара IXTQ96N20P для корректной обработки вашего запроса. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 96 |
| Напряжение сток-исток, В | 200 |
| Мощность, Вт | 600 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.024 |
| Корпус | TO3P |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 96 A |
| Pd - рассеивание мощности | 600 W |
| Qg - заряд затвора | 145 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 30 ns |
| Время спада | 30 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXTQ96N20 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-3P-3 |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Мощность, Вт | 600 |
| Напряжение сток-исток, В | 200 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.024 |
| Тип | полевой |
| Ток стока, А | 96 |
| Вес, г | 5.5 |
Техническая документация
Datasheet IXTH96N20P
pdf, 198 КБ
