IXTT68P20T, MOSFETs TrenchP Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
24 400 ֏
от 30 шт. —
18 000 ֏
от 60 шт. —
16 400 ֏
от 120 шт. —
15 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 24 400 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -200В, -68А, 568Вт, TO268 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Id - Continuous Drain Current: | 68 A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-268-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 568 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 380 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 55 mOhms |
| Series: | IXTT68P20 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -15 V, +15 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Вес, г | 77 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 178 КБ
