IXTY2N100P, MOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 230 ֏
от 10 шт. —
3 650 ֏
от 25 шт. —
3 000 ֏
от 70 шт. —
2 560 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 230 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 2А, 86Вт, TO252, 800нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 70 |
| Fall Time: | 27 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 86 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 24.3 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 Ohms |
| Rise Time: | 29 ns |
| Series: | IXTY2N100 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Вес, кг | 28.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 265 КБ
