IXYA20N120B4HV, IGBTs TO263 1200V 20A XPT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 400 ֏
от 10 шт. —
11 300 ֏
от 25 шт. —
10 300 ֏
от 50 шт. —
9 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 13 400 ֏
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4TH GENERATION (GENX4)TRENCH
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.83 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 76 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 130 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | Trench - 650V - 1200V GenX39 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263HV-3 |
| Вес, г | 2.5 |
