IXYH24N90C3D1, IGBTs 900V 24A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 700 ֏
от 10 шт. —
9 600 ֏
1 шт.
на сумму 11 700 ֏
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V 24A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
Технические параметры
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | XPT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 900 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.7 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 44 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
California Prop 65 | Warning Information |
Current - Collector (Ic) (Max) | 44A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 105A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 40nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-247-3 |
Power - Max | 200W |
REACH Status | REACH Unaffected |
Reverse Recovery Time (trr) | 340ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | GenX3в„ў, XPTв„ў -> |
Supplier Device Package | TO-247 |
Switching Energy | 1.35mJ (on), 400ВµJ (off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 20ns/73ns |
Test Condition | 450V, 24A, 10Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 24A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet IXYH24N90C3D1
pdf, 372 КБ